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　　华尔街见闻

　　三星大幅上调内存和闪存产品价格
，DRAM产品涨幅高达30%，NAND闪存价格上涨5-10% ，原因是供应紧张和云端企业需求激增
。美光和闪迪等此前也宣布类似涨价措施
，其中美光涨幅达20-30%并暂停接受新订单。

　　继大摩等看好传统存储前景后，内存巨头集体宣布涨价！

　　周一 ，三星大幅上调内存和闪存产品价格，DRAM产品涨幅高达30%
，NAND闪存价格上涨5-10%，原因是供应紧张和云端企业需求激增 。美光和闪迪等竞争对手同时宣布类似涨价措施 ，其中美光涨幅达20-30%并暂停接受新订单。

　　据韩国媒体Newdaily报道
，三星将LPDDR4X 、LPDDR5和LPDDR5X内存产品价格上调30%，eMMC和UFC等NAND闪存产品价格上涨5-10%
。供应紧张主要源于老产品减产和大型云服务商需求增长。

　　此轮涨价反映出内存行业正经历结构性转变 。厂商将重心转向AI PC和下一代智能手机等新兴市场 ，导致传统产品供应收缩
。摩根士丹利预计
，随着HBM市场竞争加剧，传统DRAM和NAND产品有望在2026年迎来更可持续增长。

　　行业巨头集体涨价

　　三星并非独自行动 。美光已通知客户价格将上涨20-30% ，同时暂停接受新订单
。闪迪宣布NAND闪存产品涨价10%。这表明整个内存行业正面临供需失衡压力 。

　　供应紧张的根本原因在于产业重心转移
。随着AI PC和新一代智能手机采用LPDDR5/X标准
，厂商减少了老产品生产，但新标准产能尚未跟上需求增长。DDR4内存价格已暴涨50% ，使DDR5成为更具成本效益的PC解决方案 。

　　内存价格上涨将直接影响消费电子和企业采购成本
。三星作为全球最大内存厂商之一
，其定价策略通常引领行业走向，市场担忧供应紧张可能持续至2025年。

　　HBM需求挤压传统产品供应

　　高带宽内存（HBM）需求激增成为推高价格的关键因素 。各大DRAM厂商纷纷转向AI赛道 ，优先为英伟达、AMD等AI加速器供应最新产品。这种优先级调整导致消费级DRAM供应更加紧张
。

　　三星目前占据32.7%的DRAM市场份额和32.9%的NAND市场份额。公司正努力获得英伟达支持以推广其HBM产品，同时加速LPDDR6 DRAM开发
，首批设计预计今年晚些时候推出 。

　　此前摩根士丹利在研报中表示，HBM“溢价神话”面临挑战 ，2026年将出现激烈竞争和定价压力
。在美联储降息预期和宏观环境改善背景下
，市场资金正从AI驱动的HBM转向传统存储板块，大摩特别看好传统DRAM的投资价值。

　　DRAM 和 NAND 的供需结构趋紧 ，似乎增强了涨价的必要性 。花旗集团预测
，明年 DRAM 和 NAND 闪存的供应将分别短缺 1.8% 和 4%
。摩根士丹利也预测，明年 NAND 的供应将短缺高达 8%。

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